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            首頁>>北京瑞科中儀科技有限公司>>產(chǎn)品展示>>原子層沉積

            • ALD 原子層沉積 參考價(jià):面議

              ALD 原子層沉積原理通過在工藝循環(huán)周期內(nèi)分步向真空腔內(nèi)添加前驅(qū)體、實(shí)現(xiàn)對(duì)膜層厚度的精確控制。區(qū)別于普通CVD或PECVD原理,ALD可沉積超薄的、無針孔和顆粒...
              型號(hào): 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商所在地:北京市 對(duì)比
              ALD原子層沉積
              2024/3/18 11:02:432167

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